日本理化研究所和美国麻省理工学院研究人员组成的研究小组，近日成功观测到形成记忆时脑神经回路变化的情况。他们发现，在记忆事物时，神经突触会变大，忘记时突触会变小。

据《日经产业新闻》近日报道，研究人员把从水母中提取的萤光蛋白植入神经细胞，然后用激光扫描显微镜进行观察。在实验中，研究人员分别模仿大脑记忆和忘记的过程，对与大脑记忆相关的神经细胞先后施以每秒１００赫兹左右的强电和１赫兹的弱电。结果发现，前者突触变大，后者突触变小。

研究人员认为，这一发现有助于治疗老年痴呆症。